에너지 효율 20% 이상, 열 저항 17% 개선
[더팩트｜우지수 기자] SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI) 데이터센터를 겨냥한 초고성능 메모리 신제품 'HBM4E' 12단 샘플을 주요 고객사에 본격 공급하며 기술 선점에 나섰다.
18일 SK하이닉스에 따르면 이번에 공개한 HBM4E는 이전 세대인 HBM4보다 연산 성능과 전력 소모 효율을 모두 한 단계 끌어올린 제품이다. 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 내며 에너지 효율을 20%이상 개선해 대규모 컴퓨팅 시스템의 처리 효율을 대폭 높였다. 최신 인터페이스와 설계 최적화를 통해 데이터 전송 지연도 줄였다.
제품 생산에는 '어드밴스드 MR-MUF' 공정이 도입돼 12단 적층 기준 48GB의 대용량을 구현했다. 이 공정은 반도체 칩을 쌓은 뒤 사이 공간에 액체 형태의 보호재를 주입해 굳히는 방식으로 구조적 안정성을 높여준다. 특히 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮춰 고성능 가동 환경에서도 메모리가 안정적으로 작동할 수 있게 돕는다.
SK하이닉스는 그동안 HBM3, HBM3E, HBM4로 이어지는 양산 경험을 축적해 왔다. 회사는 시장에서 검증된 품질을 바탕으로 신제품을 적기에 공급해 AI 시스템의 병목 현상을 해소하고 차세대 인프라 구축을 지원할 계획이다.
안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 "그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가 AI 혁신을 지속해서 리드해 갈 수 있는 기반을 마련했다"며 "파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다"고 말했다.
index@tf.co.kr
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