고속 메모리 인터페이스 전원 잡음 문제 해결
[더팩트｜우지수 기자] SK하이닉스가 대학과 함께 수행한 연구에서 나온 특허 5건을 우수발명으로 뽑았다. 인공지능(AI) 데이터 처리량이 늘면서 중요해진 고속 메모리 인터페이스 회로 기술이 최우수상을 받았다.
16일 SK하이닉스는 이천캠퍼스 영빈관에서 '2026 산학연구과제 우수발명 시상식'을 개최했다. 이날 시상식에는 차선용 미래기술연구원장과 채희석 부사장(법무·특허 부문장), 김재범 부사장(R&D전략 담당), 김연수 부사장(특허 담당) 등 기술·특허 부문 임원진과 실무진이 참석했다.
산학연구과제 우수발명 시상식은 대학과 기업이 함께 수행한 연구 가운데 기술적 성과가 뚜렷하고 특허 가치가 높은 발명을 선정하는 자리로 지난 2013년부터 매년 열리고 있다. 올해는 지난해 출원된 산학특허 26건을 심사해 최우수상 1건, 우수상 1건, 장려상 3건을 뽑았다.
최우수상은 서울대학교 최우석 교수가 받았다. 차세대 다중 레벨 신호 전송을 위한 회로 설계 특허다. 연산 칩과 메모리 사이에서 데이터를 더 빠르고 적은 에너지로 주고받게 하는 기술로, 고속 메모리 인터페이스에서 발생하는 전원 잡음 문제를 해결한 성과를 인정받았다. 전원 잡음은 회로가 고속으로 동작하며 전류가 급변할 때 공급 전압이 미세하게 흔들리는 현상이다.
최 교수는 기존 PAM3 방식이 고속 전송 환경에서 잡음과 동작 조건 변화에 영향을 받는다고 보고 회로 설계를 개선했다. PAM3는 하나의 선에 세 단계 전압으로 구분된 신호를 실어 한 번에 더 많은 정보를 보내는 전송 방식이다. 연구진은 실측을 통해 개선된 방식이 기존보다 안정적으로 데이터를 전송한다는 점을 확인했고, 관련 특허는 SK하이닉스와 공동 출원했다.
최 교수는 "고속 데이터 전송 환경에서 안정성을 높일 수 있는 회로 설계의 가능성을 확인한 것이 이번 성과의 핵심"이라며 "SK하이닉스와 협력해 원천 아이디어를 제품 수준의 기술로 연결하고 차세대 반도체 설계를 이끌 연구 인력도 함께 양성하겠다"고 말했다.
우수상은 연세대학교 김형준 교수의 차세대 메모리용 전극 물질 및 소자 특성 관련 특허가 선정됐다. 고집적 메모리에 쓰이는 전극 특성을 단일 공정 변수만으로 제어하는 기술이다. 공정 조건에 따른 전극 물성과 소자 특성의 정량적 데이터를 제시해 제품 개발에 즉시 적용할 수 있는 완성도를 갖췄다는 평가를 받았다.
김 교수는 "새로운 소재나 복잡한 추가 공정을 도입하기보다 기존 소재와 공정 체계를 활용하면서 다양한 소자 요구 조건에 대응할 수 있는 방법을 제시한 것이 연구의 핵심"이라고 설명했다.
장려상은 서울대학교 황철성 교수의 수직형 SOM 셀 물질 증착을 위한 고온 ALD/CVD 공정 특허, 서울과학기술대학교 최병준 교수의 차세대 메모리용 고온 ALD/CVD 전구체 및 공정 특허, 한양대학교 한재덕 교수의 UFS 5.0 및 차세대 M-PHY 고속 인터페이스 회로 특허가 받았다.
차선용 미래기술연구원장은 "산학 협력으로 발굴된 우수 특허가 국내 반도체 산업의 기술 경쟁력을 높이는 데 기여할 것으로 기대한다"며 "도전적이고 혁신적인 연구가 활발히 이뤄질 수 있도록 지원을 이어가겠다"고 말했다.
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