CXL 기반 차세대 메모리 기술 시연
[더팩트｜우지수 기자] SK하이닉스는 세계 최대 규모 메모리·스토리지 전시 컨퍼런스 'FMS 2026'에서 계층형 메모리를 축으로 한 차세대 AI 메모리 아키텍처 방향성을 제시했다고 7일 밝혔다.
행사는 지난 4일부터 6일까지(현지시간) 미국 캘리포니아 산타클라라 컨벤션센터에서 열렸다. 3일간 3500명이 넘는 참관객이 전시장을 찾았고, AI 전문가 350여명이 최신 기술 동향을 공유했다.
첫날 기조연설에는 김천성 솔루션개발 부문장과 강욱성 차세대상품기획 담당이 공동 발표자로 나섰다. 두 사람은 AI 에이전트 상용화로 처리 데이터가 급증하면서 단일 메모리 제품만으로는 대응이 어렵다고 진단하고, 특성이 다른 메모리를 유기적으로 연결·최적화하는 계층형 메모리 기반 아키텍처를 해법으로 내놨다.
김천성 부문장은 "AI가 학습 중심에서 대규모 추론, 나아가 Agentic AI로 확장되면서 인프라 경쟁력은 개별 메모리 제품의 성능만으로 결정되지 않는다"며 "HBM, D램, 낸드(HBF), SSD 등 각 계층을 어디에 배치하고 어떻게 연결해 데이터 이동을 최소화하느냐가 전체 효율을 좌우할 것"이라고 말했다.
계층형 구조 빈자리를 메울 카드로 제시된 것이 고대역폭플래시(HBF)다. HBF는 HBM과 같이 베이스 다이에 로직 공정을 적용하고 TSV(실리콘관통전극)로 낸드를 수직 연결해, 낸드의 대용량 특성과 D램급 대역폭을 동시에 노린 제품이다. HBM은 속도가 빠르지만 가격이 높고 용량을 늘리는 데 한계가 있어, 추론 데이터가 급증하는 환경에서 HBM과 SSD 사이를 채울 계층이 필요하다는 것이 회사 설명이다. SK하이닉스는 앞서 샌디스크와 HBF 첫 표준 규격을 공개했으며, 구글과 텐스토렌트가 컨소시엄에 합류한 상태다.
마지막 날에는 임의철 솔루션AT 담당이 구글, 샌디스크 등과 함께 HBF 패널 토의에 참여했다. 임의철 담당은 "HBF는 HBM처럼 TSV 기술을 적용해 기존 스토리지의 대용량 특성과 D램에 필적하는 고대역폭을 동시에 구현한 새로운 개념의 메모리"라며 "HBM과 SSD 사이에서 새로운 메모리 계층으로 자리 잡을 잠재력을 갖췄다"고 말했다.
전시 부스는 △파트너십존 △스마트 엣지 △Next Gen. Tech △테크 세션으로 구성됐다. 파트너십존에는 HBM4 모형과 엔비디아 차세대 AI 가속기 '베라 루빈' 모형이 나란히 놓였고, HBM4E 48GB 12단과 HBM4 48GB 16단, HBM3E 36GB 12단, SOCAMM2 실물이 전시됐다. 반대편에는 델 서버 시스템 'R7625'와 여기 탑재되는 64GB DDR5 RDIMM, 256GB DDR5 RDIMM, 128GB DDR5 MRDIMM 등 서버 D램과 eSSD 라인업이 배치됐다. QLC 기반 PS1101 고용량 eSSD는 이달부터 주요 클라우드 고객사에 샘플 공급이 시작된다.
스마트 엣지에서는 웨이퍼 본딩을 처음 적용한 375단 4D 낸드 웨이퍼가 공개됐다. 이전 세대보다 전력 대비 성능을 2.5배 높인 제품으로, 회사는 이를 기반으로 한 고성능 eSSD를 내년 상반기 양산할 계획이다. Next Gen. Tech에서는 CXL 풀드 메모리로 서버와 GPU를 연결해 KV 캐시를 주고받는 AI 에이전트 서빙 시스템과 D램·SSD를 결합한 CMM-Hybrid 시연이 진행됐다.
SK하이닉스 관계자는 "이번 행사를 통해 HBM부터 서버 D램, 낸드, CXL에 이르는 전 계층 기술 역량을 알렸다"며 "고객과 파트너가 필요로 하는 최적의 AI 메모리 제품을 선제적으로 개발해 나가겠다"고 말했다.
index@tf.co.kr
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