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삼성전자, GTC서 'HBM4E' 최초 공개…"엔비디아와 AI 동맹 고도화"
HBM4E 실물 칩·코어 다이 웨이퍼 최초 공개
Vera Rubin 플랫폼용 메모리 토털 솔루션 공급


삼성전자가 엔비디아 GTC에 참가해 차세대 HBM4E 기술력과 메모리 토털 솔루션 등을 선보인다. /더팩트 DB
삼성전자가 엔비디아 GTC에 참가해 차세대 HBM4E 기술력과 메모리 토털 솔루션 등을 선보인다. /더팩트 DB

[더팩트ㅣ이성락 기자] 삼성전자는 16일(현지시간)부터 19일까지 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가해 차세대 HBM4E 기술력을 선보인다고 밝혔다.

이와 함께 삼성전자는 베라 루빈(Vera Rubin) 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션을 유일하게 공급할 수 있는 역량을 앞세워 글로벌 AI 리더십을 한층 강화한다는 방침이다.

삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 Hero Wall'을 마련해 HBM 기술 리더십을 가장 먼저 조명할 수 있게 전시 동선을 기획했다.

회사는 HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E 개발을 가속화하고 있다. 이번 전시를 통해서는 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다.

HBM4E는 메모리, 자체 파운드리와 로직 설계 역량, 그리고 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.

또한, 삼성전자는 영상을 통해 TCB(Thermal Compression Bonding) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(Hybrid Copper Bonding) 기술을 공개하며, 차세대 HBM을 위한 패키징 기술 경쟁력을 강조했다.

특히 삼성전자는 이번 전시에서 전 세계 유일 엔비디아 Vera Rubin 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 부각했다.

엔비디아 갤러리를 별도로 구성해 △Rubin GPU용 HBM4 △Vera CPU용 SOCAMM2 △스토리지 PM1763 등을 Vera Rubin 플랫폼과 함께 전시, 양사의 협력을 강조했다.

SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로, 품질 검증을 완료한 뒤 업계 최초로 양산 출하를 시작했다.

PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 Vera Rubin 플랫폼의 메인 스토리지다. 삼성전자는 부스 내에서 PM1763이 탑재된 서버를 통해 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연해 사양 소개를 넘어 업계 최고 수준의 성능을 현장에서 체감할 수 있게 했다.

삼성전자는 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 Vera Rubin 플랫폼에 새롭게 도입된 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼에 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이다.

삼성전자 관계자는 "AI 팩토리 혁신을 위해서는 Vera Rubin 플랫폼과 같은 강력한 AI 시스템이 필수적"이라며 "삼성전자는 이를 지원하는 고성능 메모리 솔루션을 지속해서 공급해 나갈 예정"이라고 말했다.

이어 "삼성전자와 엔비디아는 이러한 협력을 바탕으로 글로벌 AI 인프라 패러다임 전환을 함께 이끌어 갈 것"이라고 덧붙였다.

한편, 행사 둘째 날인 17일, 엔비디아의 특별 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나선다. 그는 AI 인프라 혁신을 이끌 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시할 계획이다.

rocky@tf.co.kr

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