이정베 메모리사업부 사장 "3D D램 수직 신구조 가장 먼저 만들 것"
[더팩트｜우지수 기자] 삼성전자가 미국 실리콘밸리에 메모리 연구개발 조직을 신설했다.
28일 업계에 따르면 삼성전자 DS(반도체)부문은 지난 17일 미국 실리콘밸리 반도체 미주총괄(DSA)에 'R&D-D램 Path Finding' 조직을 개설했다. 이 조직은 송재혁 삼성전자 DS 부문 최고기술책임자(CTO) 겸 반도체연구소장이 이끄는 것으로 전해졌다.
삼성전자의 차세대 D램 연구개발 조직은 '3D D램'을 선제적으로 연구 개발할 예정이다.
업계에 따르면 현재 개발된 D램은 평면에 셀이 촘촘히 배치된 2차원 구조다. 새로운 구조를 도입하고 물질을 개선하며 셀 크기를 줄여가며 성능이 발전했지만, 축소 범위 한계에 다다랐다. 이 때문에 메모리 업계는 셀을 층층이 쌓아올리거나 셀 구조를 2단으로 쌓는 등 3차원 방식으로 D램을 발전시키고 있고, 이에 대한 기술 경쟁이 펼쳐지고 있다.
이정배 메모리사업부 사장은 지난해 10월 실리콘밸리에서 열린 '메모리 테크 데이'에서 "10나노미터(10억분의 1m) 이하 D램에 3D 수직 신구조를 가장 먼저 도입하겠다"고 말했다.
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