25일 3나노 반도체 제품 출하식 개최 예정
[더팩트｜한예주 기자] 삼성전자가 다음 주 세계 최초로 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3㎚(나노미터·1㎚는 10억분의 1m) 반도체 제품을 처음으로 선보인다.
20일 정부와 업계에 따르면 삼성전자는 오는 25일 화성 사업장에서 반도체 파운드리(위탁 생산) 3㎚ 제품 출하식을 진행한다. 출하식에는 이창양 산업통상자원부 장관, 경계현 삼성전자 사장 등이 참석할 것으로 알려졌다.
삼성전자는 화성캠퍼스 V1라인 앞에서 진행되는 출하식에서 양산을 시작한 3㎚ 공정 제품을 공개할 계획이다. 동시에 3㎚ 기술 개발에 대한 경과를 보고한다. 삼성전자가 만든 3㎚ 공정 제품은 복수의 팹리스(반도체 설계회사)에 공급되는 것으로 알려졌다.
앞서 삼성전자는 지난달 30일 3㎚ 공정의 고성능 컴퓨팅(HPC)용 시스템 반도체를 초도 생산했다면서, 모바일 시스템온칩(SoC) 등으로 3㎚ 공정 적용을 확대해 나갈 것이라고 밝혔다.
3㎚ 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이다. 반도체 초미세공정에서 나노 단위 공정은 성능을 결정하는 데 중요한 역할을 한다. 얼마나 얇은 광원으로 정밀한 회로를 그릴 수 있느냐에 따라 성능이 정해진다. 광원의 굵기가 가늘수록 트랜지스터 사이의 너비를 줄일 수 있는데, 이는 반도체의 성능과 전력효율에 직접적인 영향을 미친다.
현재 10㎚ 이하로 반도체를 양산할 수 있는 회사는 전 세계에서 TSMC와 삼성전자가 유일하다. 두 업체는 현재 5㎚ 공정 반도체를 주력으로 양산하고 있다.
삼성전자는 지난달 게이트올어라운드(GAA) 3nm 양산을 발표하면서 초미세공정 기술력에서 TSMC를 앞섰다.
삼성전자의 3nm GAA 1세대 공정은 기존 5nm 핀펫 공정과 비교해 전력은 45% 절감하고 성능은 23% 높일 수 있다. 내년 도입 예정인 GAA 2세대 공정은 전력을 50% 절감하면서 성능 30% 향상할 수 있을 것으로 기대된다.
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