[더팩트ㅣ이성락 기자] 곽노정 SK하이닉스 사장이 "올해 이어 내년에 생산할 고대역폭메모리(HBM)도 솔드아웃(완판)됐다"며 "차세대 HBM인 HBM3E 12단 양산을 통해 시장 리더십을 확고히 할 것"이라고 말했다.

곽 사장은 2일 경기도 이천 본사에서 열린 'AI 시대, SK하이닉스의 비전과 전략'이라는 주제로 열린 기자간담회에서 HBM 현황 및 전략을 설명하며 이 같은 자신감을 드러냈다.

이날 SK하이닉스는 AI 메모리 기술력과 시장 현황, 청주·용인·미국 등 미래 주요 생산거점 투자 계획을 일제히 발표했다.

곽 사장은 "리더십을 확고히 하기 위해 이달 세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품 샘플을 제공하고, 3분기 양산하도록 준비 중"이라고 밝혔다.

이어 "질적 성장을 위해 원가 경쟁력을 강화하고 고수익 제품 중심의 판매를 늘려 수익성을 더 높일 것"이라며 "수요 환경에 대응하는 투자 방식으로 캐시(현금) 수준을 높여 재무 건전성도 높이겠다"고 덧붙였다.

SK하이닉스는 전체 메모리 시장에서 AI 메모리가 차지하는 매출 비중이 지난해 약 5%에서 2028년 61%에 달할 것으로 전망했다.

김주선 SK하이닉스 AI인프라 담당은 "AI 시대에 맞춰 6세대 제품인 HBM4를 비롯, HBM4E, LPDDR6, 300TB(테라바이트) 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 차세대 메모리를 준비하고 있다"고 전했다.

그러면서 "고객사의 고용량 메모리 니즈에 맞춰 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 풀드 메모리와 프로세싱인메모리(PIM) 등 차세대 메모리 솔루션 기술도 준비 중"이라고 말했다.

이들 기술은 그래픽처리장치(GPU)와 메모리를 연결해 데이터 처리 속도, 용량 등을 높일 수 있다.

SK하이닉스는 이를 위해 시스템반도체, 파운드리 등 파트너사와 협업해 제품을 적시 개발·공급한다는 방침이다.

또한, HBM4 16단 제품 구현을 위해 HBM 핵심 기술인 MR-MUF를 적용한다는 전략이다. MR-MUF는 과거 공정 대비 반도체 칩의 적층 압력을 6% 수준까지 낮추고, 공정 시간을 줄여 생산성을 4배로 높이는 패키징 기술이다.

이와 함께 SK하이닉스는 하이브리드 본딩 기술도 선제적으로 검토해 차세대 HBM 생산에 나선다.

이 밖에 최근 부지를 선정한 미국 인디애나주 공장 관련, 주변 대학 및 연구개발 센터들과 연구개발 협력을 통해 현지 반도체 인력 확보에도 집중할 계획이다.

곽 사장은 "AI 모델의 발전 속도가 빨라 초고속, 고용량 메모리의 수요는 폭발적으로 증가할 것"이라며 "HBM과 고성능 SSD 등 제품 라인을 구축한 만큼 과감한 R&D 투자로 업계 기술 리더십을 지키겠다"고 설명했다.

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