[더팩트ㅣ이성락 기자] 삼성전자는 업계 최초로 1테라비트(Tb) 용량의 트리플레벨셀(TLC) 9세대 V낸드를 양산한다고 23일 밝혔다.

이 제품은 업계 최소 크기 셀과 최소 몰드 두께를 구현해 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 늘렸다. 또 동작을 수행하지 않는 더미 채널 홀을 제거하는 기술로 셀의 평면적을 줄였다. 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술과 셀 수명 연장 기술도 적용했다.

9세대 V낸드는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품이다. 삼성전자는 채널 홀 에칭 기술을 통해 한 번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성을 끌어올렸다고 설명했다. 채널 홀 에칭은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다. 특히 적층 단수가 높아져 한 번에 많이 뚫을수록 생산 효율이 증가하기 때문에 정교화·고도화가 요구된다.

9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 토글(Toggle) 5.1이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 할 계획이다. 또 9세대 V낸드는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 10% 개선됐다.

삼성전자는 TLC 9세대 V낸드에 이어 올 하반기 쿼드레벨셀(QLC) 9세대 V낸드도 양산, AI 시대에 요구되는 고용량·고성능 낸드플래시 개발에 박차를 가할 방침이다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시 개발실장(부사장)은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속·초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했다.

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