삼성전자, 메모리 '9.5조' 추가 투자…'초격차 전략' 가속화

삼성전자가 중국 시안에서 메모리 라인을 증설할 계획이다. 이를 위해 초근 80억 달러의 투자를 결정했다. /삼성전자 제공

중국 시안 2공장 2단계 프로젝트 시행…삼성, '2공장'에 총 150억 달러 투자 결정

[더팩트│최수진 기자] 삼성전자가 중국에서 반도체 투자 폭을 확대한다. 중국 시안시에서 낸드플래시 라인 추가 증설을 추진, 반도체 초격차 전략 수립에 속도를 내겠다는 전략이다.

◆삼성전자, 중국 시안 반도체에 '80억 달러' 추가 투자

13일 중국 시안시 공식 홈페이지에 따르면 삼성전자가 중국 산시성 시안 반도체 라인을 증설하기 위해 80억 달러(약 9조4000억 원)를 추가로 투자한다. 시안 반도체 라인은 삼성전자의 유일한 해외 메모리 반도체 생산기지다.

이번 투자는 지난 2017년 70억 달러(약 8조2000억 원)의 투자를 진행한 시안 2공장 1단계 프로젝트에 이은 두 번째 결정으로, 시안 2공장 '2단계 프로젝트'다. 1단계는 총 3년간 진행하는 것으로, 2020년 상반기 가동을 목표로 현재도 공사가 진행되고 있다.

삼성전자는 2021년 하반기까지 2단계 투자를 완료할 계획이다. 해당 라인에서는 메모리 반도체의 일종인 '3D V낸드'가 양산될 예정이다. 해당 라인에서 양산될 3D V낸드 규모는 월 13만 장 수준으로 전망된다.

2단계 프로젝트까지 합칠 경우 삼성전자가 시안 2공장에 투자하는 총금액은 150억 달러(약 17조6000억 원)가 된다.

이를 위해 강봉용 삼성전자 DS부문 경영지원실장(부사장)은 지난 10일(현지시간) 리밍위안 시안시장, 왕하오 시안시 상무위원 겸 서기 등과 만나 의견을 나눴다.

◆'투자' 통한 반도체 초격차…'메모리'서 계속 된다

삼성전자는 시설 투자로 메모리 수요가 개선되고 있는 메모리 반도체 시장 상황에 적극 대응할 것으로 보인다. 실제 박유악 키움증권 연구원은 "메모리 반도체인 D램과 낸드의 출하량이 기대치를 소폭 상회할 전망"이라며 "가격은 당초 예상에 부합할 것으로 보인다. 1분기 낸드플래시 수익성은 개선될 것"이라고 분석한 바 있다.

이와 별개로 삼성전자는 중장기 수요 대응을 위해 메모리 인프라 투자는 적극적으로 진행하고 있다. 실제 삼성전자는 올해 반도체 시설에 총 23조3000억 원의 투자를 집행했다. 시안 투자도 메모리 수요 불확실성에 상관없이 중장기를 대비하기 위한 목적으로 진행하는 것이다.

아울러 삼성전자는 경쟁사와의 초격차를 유지한다는 전략이다. 특히, 글로벌 반도체 시장에서 1위 자리를 놓고 삼성전자와 다투고 있는 인텔을 견제하기 위한 행보이기도 하다. 인텔은 낸드플래시 시장에서 5위(10.9%)에 불과해 1위인 삼성전자(33.5%)와 차이가 있지만 그 영향력은 급속도로 높아지고 있다.

인텔은 지난 2분기 8.7%의 점유율에서 1분기 만에 2.2%의 점유율을 늘렸다. 3분기 낸드플래시 등 비휘발성 메모리 매출은 12억9000만 달러(약 1조5000억 원)로, 전년 동기(10억8100만 달러) 대비 19.3% 늘었다.

강봉용 부사장은 "2012년 시안에 입주한 이후 시정부의 지지 하에 낸드플래시 프로젝트 1단계가 순조롭게 운영됐다"며 "삼성전자는 시안에 대한 투자를 확대할 것이며, 사회공헌 사업에 적극적으로 참여해 시안 경제 발전에 기여할 것"이라고 밝혔다.

jinny0618@tf.co.kr

Copyright@더팩트(tf.co.kr) All right reserved.